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LEEM-8 Apparatu Sperimentale à Effettu Magnetoresistivu

Breve descrizione:


Dettaglio di u Produttu

Tags produttu

Nota: oscilloscopiu micca inclusu

U dispusitivu hè simplice in struttura è riccu in cuntenutu. Utilizza dui tippi di sensori: u sensore GaAs Hall per misurà l'intensità di l'induzione magnetica, è per studià a resistenza di u sensore di magnetoresistenza InSb sottu una intensità di induzione magnetica diversa. I studienti ponu osservà l'effettu Hall è l'effettu magnetoresistance di i semiconduttori, chì sò caratterizati da esperimenti di ricerca è di cuncepimentu.

Esperimenti

1. Studiate u cambiamentu di resistenza di un sensore InSb vs l'intensità di u campu magneticu applicatu; truvà a formula empirica.

2. Piazzà a resistenza di u sensore InSb vs l'intensità di u campu magneticu.

3. Studiate e caratteristiche AC di un sensore InSb sottu à un debule campu magneticu (effettu di raddoppiu di frequenza).

 

Quaternu

Description Quaternu
Alimentazione di u sensore di magneto-resistenza 0-3 mA regolabile
Voltmetro digitale gamma 0-1.999 V risoluzione 1 mV
Millimetri digitale range 0-199,9 mT, risoluzione 0,1 mT

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